HY	XX	X	XX	XX	XX	X	X	X	X	X	XX
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12

　　1、HY代表是现代的产品

　　2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

　　3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　

　　4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

　　5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

　　6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

　　7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2

　　8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

　　9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

　　10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

　　11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、　K :DDR266A

三星DDR内存：

　　在目前的DDR内存市上三星的DDR内存销量可以说是最大的。搞清楚内存颗粒上的编号的含义，对于用户的选购是绝对有好处的，下面我们就来看看这些数字代表什么意思。

KM	X	XX	X	XX	X	X	X	X	X
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10

　　1、KM或者K表示相应的内存颗粒是三星生产的

　　2、内存芯片类型：4表示DDR SDRAM

　　3、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

　　4、工作电压：H=DDR SDRAM，3.3V、L=DDR SDRAM，2.5V

　　5、内存密度组成：4：4Mbit、8：8 Mbit、16：16 Mbit、32：32 Mbit、64：64 Mbit、12：128 Mbit、25：256 Mbit、51：512 Mbit

　　6、芯片容量和刷新速度：0：64m /4K [15.6μs]、1：32m/2K [15.6μs]、2：128m/8K [15.6μs]、3：64m/8K [7.8μs]、4：128m/16K [7.8μs]

　　7、表示内存排数：3：4排、4：8排

　　8、代表接口电压：0：混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1：SSTL_2(2.5V)

　　9、表示封装类型：T：66针TSOP II、B：BGA、C：微型BGA(CSP)

　　10、工作频率：0：10ns、100MHz(200Mbps)；8：8ns、125MHz(250Mbps)；Z：7.5ns、133MHz(266Mbps)；Y：6.7ns、150MHz(300Mbps)；6：6ns、166MHz(333Mbps)；5：5ns、200MHz(400Mbps)
Micron DDR内存：

　　Micron公司是世界上知名内存生产商之一，其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

MT	XX	XX	XX	X	XX	XX	XX	XX	X
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10

　　1、MT代表Micron的产品

　　2、代表产品种类：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus

　　3、代表处理工艺：C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS

　　5、容量单位：无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）

　　6、表示数据位宽：4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

　　7、代表封装:TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA

　　8、代表速度：-8支持PC200（CL2）、-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）、-7支持PC200（CL2）、PC266B（CL2）、PC266A（CL=2.5）

　　9、代表功耗：L=低耗，空白=普通
TOSHIBA DDR内存:

TC	XX	X	XX	XX	X	XX	X	XX
1	2	3	4	5	6	7	8	9

　　1、TC代表是东芝的产品

　　2、59代表SDRAM代表是SDRAM

　　3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM

　　4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb

　　5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

　　6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新

　　7、代表封装：FT为TSO II封装

　　8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通

　　9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3
宇瞻DDR内存:

W	XX	XX	XX	XX
1	2	3	4	5

　　1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

　　2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM?

　　3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；

　　4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

　　5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

　　怎么样朋友们，看了上面的几款DDR内存颗粒编号秘密之后是不是感慨良多，是的，不要小看那几个简单的字母和数字，它里可蕴藏着很大的学问。以上只是举例了几种市场里能够找到的内存条颗粒，此外还有很多不同品牌、不同编号的内存颗粒，我们在这里就不一一举例说明了。所以说再多、看再多也是没有任何用处的，还需要朋友们亲自到市场里去实践去摸索！